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IDT6116LA45TPGI、IDT6116SA45TP、IDT6116LA45TPG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116LA45TPGI IDT6116SA45TP IDT6116LA45TPG

描述 IC SRAM 16Kbit 45NS 24DIPCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)IC SRAM 16Kbit 45NS 24DIP

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

封装 DIP-24 DIP-24 DIP-24

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99