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CY7C1563XV18-600BZXC、CY7C1563XV18-633BZXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1563XV18-600BZXC CY7C1563XV18-633BZXC

描述 72兆位QDR® II的Xtreme SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR® II Xtreme SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)72兆位QDR® II的Xtreme SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR® II Xtreme SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

存取时间 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

位数 - 18

存取时间(Max) - 0.45 ns

高度 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a