NTF2955T1G、STN3PF06、IRFL9014TR对比区别

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型号 NTF2955T1G STN3PF06 IRFL9014TR

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTF2955T1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -60 V, 170 mohm, 20 V, -4 VSTMICROELECTRONICS  STN3PF06  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 SOT-223-3 SOT-223

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -2.60 A -2.50 A -

通道数 1 1 -

针脚数 3 4 -

漏源极电阻 0.145 Ω 200 mΩ -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 1 W 2.5 W 2 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 - 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.60 A, 2.60 mA 2.50 A -

上升时间 7.6 ns 40 ns 63 ns

输入电容(Ciss) 492pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) 270pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W -

下降时间 38 ns 17 ns 31 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2300 mW 2.5W (Tc) 2000 mW

输入电容 492 pF - -

栅电荷 14.3 nC - -

长度 6.5 mm 6.5 mm -

宽度 3.5 mm 3.5 mm -

高度 1.57 mm 1.8 mm -

封装 TO-261-4 SOT-223-3 SOT-223

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -