IRF530NS、IRF530NSTRLPBF、IRF530对比区别
型号 IRF530NS IRF530NSTRLPBF IRF530
描述 D2PAK N-CH 100V 17AINFINEON IRF530NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
额定功率 - 3.8 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.09 Ω -
耗散功率 3.8W (Ta), 70W (Tc) 70 W -
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 920 pF -
连续漏极电流(Ids) 17A 17A -
上升时间 22 ns 22 ns -
输入电容(Ciss) 920pF @25V(Vds) 920pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 3.8 W -
下降时间 25 ns 25 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 70W (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -