HFA06TB120S、STTH812G-TR、HFA06TB120STRL对比区别

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型号 HFA06TB120S STTH812G-TR HFA06TB120STRL

描述 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1Element, 8A, 1200V V(RRM), Silicon, D2PAK-3STMICROELECTRONICS  STTH812G-TR  快速/超快功率二极管, 单, 1.2 kV, 8 A, 2 V, 100 ns, 80 A1200V 6A HEXFRED Discrete Diode in a D2-Pak (HEXFRED) package

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 TVS二极管

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

额定电压(DC) - 1.20 kV -

额定电流 - 8.00 A -

电容 - 12.0 pF -

输出电流 - ≤8.00 A -

正向电压 - 2.2V @8A -

极性 - Standard -

热阻 - 1.9℃/W (RθJC) -

反向恢复时间 - 100 ns -

正向电流 - 8 A -

最大正向浪涌电流（Ifsm） - 80 A -

正向电压(Max) - 2 V -

正向电流(Max) - 8 A -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

工作结温 - 175℃ (Max) -

ECCN代码 - EAR99 -