STP11NK50Z、STW20NK50Z、FQP13N50C对比区别

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型号 STP11NK50Z STW20NK50Z FQP13N50C

描述 STMICROELECTRONICS  STP11NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 10.0 A 17.0 A 13.0 A

额定功率 125 W 190 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 520 mΩ 0.23 Ω 480 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 190 W 195 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V -

输入电容 1390 pF 2600 pF -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 17.0 A 13.0 A

上升时间 18 ns 20 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 1390pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 2055pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 125 W 190 W 195 W

下降时间 15 ns 15 ns 100 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 190W (Tc) 195W (Tc)

长度 10.4 mm 15.75 mm 10.67 mm

宽度 4.6 mm 5.15 mm 4.7 mm

高度 9.15 mm 20.15 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99