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IRLR120ATF、IRLR120NTRPBF、IRLR120NTRLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR120ATF IRLR120NTRPBF IRLR120NTRLPBF

描述 N沟道 100V 8.4AINFINEON  IRLR120NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 V单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

漏源极电阻 0.22 Ω 0.185 Ω 185 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 35 W 39 W 48 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.40 A 10A 10A

输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 48 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 35W (Tc) 48W (Tc) 48W (Tc)

额定功率 - 39 W 39 W

针脚数 - 3 3

输入电容 - 440 pF -

上升时间 - 35 ns 35 ns

下降时间 - 22 ns 22 ns

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定电流 - - 11.0 A

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99