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STL25N15F3、STL25N15F4、STL90N3LLH6对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STL25N15F3 STL25N15F4 STL90N3LLH6

描述 Power N-CH 150V 25ATrans MOSFET N-CH 150V 25A 8Pin Power Flat T/RN 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerVDFN-8 PowerVDFN-8

通道数 1 - 1

漏源极电阻 57 mΩ - 0.0038 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 80 W 80 W 60 W

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 30 V

漏源击穿电压 150 V - -

连续漏极电流(Ids) 25A - 90A

上升时间 13 ns 5.1 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 2710pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 4 W 80 W 60 W

下降时间 20 ns 11.4 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 80W (Tc) 80W (Tc) 60W (Tc)

阈值电压 - - 1.7 V

长度 5 mm - 5 mm

宽度 6 mm - 6 mm

高度 0.81 mm - 0.78 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerVDFN-8 PowerVDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -