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CY7C1011CV33-10ZXCT、IS62WV12816BLL-55TLI、GS72116AGP-10对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1011CV33-10ZXCT IS62WV12816BLL-55TLI GS72116AGP-10

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 2M-Bit 128K x 16 10ns 44Pin TSOP-II T/RRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)静态随机存取存储器 3.3V 128K x 16 2M C Temp

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) GSI

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 - 44 44

封装 TSOP TSOP-44 TSOP-44

安装方式 - Surface Mount -

存取时间 - 55 ns 10 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3.3 V 2.5V ~ 3.6V 3.3 V

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

位数 - 16 -

内存容量 - 250000 B -

存取时间(Max) - 55 ns -

封装 TSOP TSOP-44 TSOP-44

长度 - 18.52 mm -

宽度 - 10.29 mm -

高度 - 1.05 mm -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -