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BCR169、RN2410、BCR142对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR169 RN2410 BCR142

描述 BCR169 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 100~600 0.2W/200mW SOT-23/SC-59 标记WS 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路RN2410 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 120~400 0.2W/200mW SOT-23/SC-59 标记YK 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, drver circuit)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 晶体管

基础参数对比

封装 SOT-363-6 S-Mini -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

耗散功率(Max) 250 mW - -

封装 SOT-363-6 S-Mini -

产品生命周期 End of Life Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -