IRFS3006TRL7PP、IRFS7534-7PPBF、IRFS7530TRL7PP对比区别

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型号 IRFS3006TRL7PP IRFS7534-7PPBF IRFS7530TRL7PP

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRFS7530TRL7PP  晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.00115 ohm, 10 V, 3.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7 7

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 290 W 375 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 293A 255A 338A

上升时间 61 ns 120 ns 102 ns

输入电容(Ciss) 8850pF @50V(Vds) 9990pF @25V(Vds) 12960pF @25V(Vds)

下降时间 69 ns 86 ns 79 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 290W (Tc) 375000 mW

额定功率 375 W - 375 W

通道数 1 - -

针脚数 7 - 7

漏源极电阻 1.5 mΩ - 0.00115 Ω

阈值电压 4 V - 3.7 V

输入电容 8850 pF - -

漏源击穿电压 60 V - -

长度 10.67 mm 10.54 mm 10.67 mm

宽度 6.22 mm 4.69 mm 9.65 mm

高度 2.3 mm 9.65 mm 4.83 mm

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99