IPB80N04S3-06、IPB80N04S306ATMA1对比区别

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型号 IPB80N04S3-06 IPB80N04S306ATMA1

描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorN沟道 40V 80A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3-2

引脚数 - 3

通道数 1 -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 100000 mW 100W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A

上升时间 10 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 3250pF @25V(Vds) 3250pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 100 W -

下降时间 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 100W (Tc) 100W (Tc)

长度 10 mm -

宽度 9.25 mm -

高度 4.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅