IXTP26P20P、IXTQ26P20P、IXTH26P20P对比区别

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型号 IXTP26P20P IXTQ26P20P IXTH26P20P

描述 IXTP 系列 单 P 沟道 200 V 170 mOhm 300 W 功率 Mosfet - TO-220P沟道 200V 26ATrans MOSFET P-CH 200V 26A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3

耗散功率 300 W 300W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 33 ns 33 ns -

输入电容(Ciss) 2740pF @25V(Vds) 2740pF @25V(Vds) 2740pF @25V(Vds)

下降时间 21 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

额定功率(Max) - - 300 W

极性 P-CH - -

连续漏极电流(Ids) 26A - -

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free