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NTTFS4824NTAG、NTTFS4824NTWG、TPCC8061-H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTTFS4824NTAG NTTFS4824NTWG TPCC8061-H

描述 20.6A,30V,N沟道MOSFET20.6A,30V,N沟道MOSFETPower MOSFET (N-ch single VDSS≤30V)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 WDFN-8 WDFN-8 -

引脚数 8 - -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 4.1 W 660mW (Ta), 46.3W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 20.6 A, 14.9 A 20.6 A -

输入电容(Ciss) 2363pF @12V(Vds) 2363pF @12V(Vds) -

耗散功率(Max) 660mW (Ta), 46.3W (Tc) 660mW (Ta), 46.3W (Tc) -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0037 Ω - -

阈值电压 1.9 V - -

上升时间 38 ns - -

额定功率(Max) 660 mW - -

下降时间 5.5 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 WDFN-8 WDFN-8 -

长度 3.05 mm - -

宽度 3.05 mm - -

高度 0.75 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -