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2N7002W、2N7002W-7、2N7002W-TP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002W 2N7002W-7 2N7002W-TP

描述 小信号MOSFET 60 V 340 mA时,单N通道, SC- 70 Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N−Channel, SC−70Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3Pin SOT-323 T/R2N7002W 系列 60 V 115 mOhm N-沟道 增强型 晶体管 - SOT-323

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) Micro Commercial Components (美微科)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 2.53 Ω 1.80 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 200 mW 200mW (Ta) 200 mW

阈值电压 1.76 V - -

漏源极电压(Vds) 78 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.34A 115 mA 0.115A

上升时间 9 ns - -

输入电容(Ciss) 37.8pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 mW 200 mW -

下降时间 29 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 200mW (Ta)

通道数 - - 1

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 115 mA -

漏源击穿电压 - 70.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 1 mm - -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -