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BZV55-C10、TZMC10GS18、BZV55C10对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C10 TZMC10GS18 BZV55C10

描述 Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75VZener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.5W,

数据手册 ---

制造商 Yageo (国巨) Vishay Semiconductor (威世) EIC

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 2 2

封装 - SOD-80-2 Mini-MELF

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.5V @200mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA 5 mA

稳压值 - 10 V 10 V

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ 200 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW -

正向电压(Max) - - 0.9 V

工作温度(Min) - - -65 ℃

长度 - 3.7 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.6 mm -

封装 - SOD-80-2 Mini-MELF

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -