FDT457N、STE53NC50、STN4NF03L对比区别

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型号 FDT457N STE53NC50 STN4NF03L

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDT457N  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 VSTMICROELECTRONICS  STE53NC50  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STN4NF03L  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 ISOTOP-4 TO-261-4

额定电压(DC) 30.0 V 500 V 30.0 V

额定电流 5.00 A 53.0 A 6.50 A

额定功率 - 460 W 3.3 W

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 0.043 Ω 0.08 Ω 0.039 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 460 W 3.3 W

阈值电压 1.6 V 3 V 1 V

输入电容 235 pF - 330 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 500 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 500 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 53.0 A 6.50 A

上升时间 12.0 ns 70 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 235pF @15V(Vds) 11200pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.1 W 460 W 3.3 W

下降时间 - 38 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 460W (Tc) 3300 mW

通道数 1 1 -

栅电荷 4.20 nC - -

隔离电压 - 2.50 kV -

长度 6.5 mm 38.2 mm 6.5 mm

宽度 3.56 mm 25.5 mm 3.5 mm

高度 1.6 mm 9.1 mm 1.8 mm

封装 TO-261-4 ISOTOP-4 TO-261-4

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99