2SK1016-01、IRFP452、BUZ339对比区别

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型号 2SK1016-01 IRFP452 BUZ339

描述 TO-3P N-CH 500V 15AN-CHANNEL POWER MOSFETSSIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) Samsung (三星) Infineon (英飞凌)

分类

封装 TO-3 TO-3 -

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-3 TO-3 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 15A - -