AUIRLU024Z、IRLU024NPBF、IRLU024N对比区别

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型号 AUIRLU024Z IRLU024NPBF IRLU024N

描述 IPAK N-CH 55V 16AN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。IPAK N-CH 55V 17A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

额定功率 - 38 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.065 Ω 65.0 mΩ (max)

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 35W (Tc) 46 W 45W (Tc)

阈值电压 - 2 V -

输入电容 - 480 pF -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - 55 V 55.0V (min)

连续漏极电流(Ids) 16A 17A 17.0 A

上升时间 43 ns 74 ns 74.0 ns

输入电容(Ciss) 380pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 45 W -

下降时间 16 ns 29 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 35W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 17.0 A

产品系列 - - IRLU024N

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 2.39 mm -

高度 - 6.22 mm -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -