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IXTA180N085T7、IXTP180N085T、IXTQ180N085T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA180N085T7 IXTP180N085T IXTQ180N085T

描述 D2PAK N-CH 85V 180ATO-220 N-CH 85V 180ATrans MOSFET N-CH 85V 180A 3Pin(3+Tab) TO-3P

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-7 TO-220-3 TO-3-3

耗散功率 430W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)

漏源极电压(Vds) 85 V 85 V 85 V

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 430W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)

极性 N-CH N-CH -

连续漏极电流(Ids) 180A 180A -

封装 TO-263-7 TO-220-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free