IPD025N06NATMA1、IPD053N06N、IPD053N06NATMA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPD025N06NATMA1 IPD053N06N IPD053N06NATMA1

描述 INFINEON  IPD025N06NATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON  IPD053N06N  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.8 VINFINEON  IPD053N06NATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0021 Ω 0.0045 Ω 0.0045 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 167 W 83 W 83 W

阈值电压 2.8 V 2.8 V 2.8 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 90A 45A 45A

上升时间 20 ns 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 5200pF @30V(Vds) 2000pF @30V(Vds) 2000pF @30V(Vds)

额定功率(Max) - 3 W -

下降时间 12 ns 7 ns 7 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta), 167W (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) 3000 mW

额定功率 167 W - 83 W

输入电容 5200 pF - 2000 pF

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.41 mm 2.41 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -