SI5904DC-T1-E3、SI5904DC-T1-GE3、SI5904DC对比区别

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型号 SI5904DC-T1-E3 SI5904DC-T1-GE3 SI5904DC

描述 MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8MOSFET N-CH 20V 1206-8Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SMD-8 SMD-8 -

引脚数 8 - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W -

漏源极电阻 0.065 Ω - -

极性 Dual N-Channel - -

耗散功率 2.1 W - -

阈值电压 1.5 V - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 4.20 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SMD-8 SMD-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -