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IS42S81600E-6TL、IS42S81600F-6TL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S81600E-6TL IS42S81600F-6TL

描述 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 16Mx8 3.3V 54Pin TSOP-IIDRAM Chip SDRAM 128Mbit 16Mx8 3.3V 54Pin TSOP-II

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54

供电电流 - 120 mA

位数 8 8

存取时间 - 5.4 ns

存取时间(Max) 5.4ns, 6.5ns 5.4ns, 6.5ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

封装 TSOP-54 TSOP-54

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99