IRLR2908PBF、IRLR2908TRPBF、AUIRLR2908对比区别
型号 IRLR2908PBF IRLR2908TRPBF AUIRLR2908
描述 INFINEON IRLR2908PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 2.5 VINFINEON IRLR2908TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 80 V, 0.0225 ohm, 10 V, 2.5 VN 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 120 W 120 W -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.028 Ω 0.0225 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 120 W 120 W 120 W
阈值电压 2.5 V 2.5 V -
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 39A 39A 39A
上升时间 95 ns 95 ns 95 ns
输入电容(Ciss) 1890pF @25V(Vds) 1890pF @25V(Vds) 1890pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 120 W 120 W -
下降时间 55 ns 55 ns 55 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 120W (Tc) 120W (Tc) 120W (Tc)
通道数 - 1 -
输入电容 - 1890 pF -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 2.39 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 6.22 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -