IRF6798MTRPBF、IRF6898MTRPBF、IRF6798MTR1PBF对比区别

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型号 IRF6798MTRPBF IRF6898MTRPBF IRF6798MTR1PBF

描述 Direct-FET N-CH 25V 37AINFINEON  IRF6898MTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 213 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 1.6 V 新Direct-FET N-CH 25V 37A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 Direct-FET DirectFET-MX Direct-FET

引脚数 - 7 7

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 2.8W (Ta), 78W (Tc) 78 W 2.8 W

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 37A 35A 37A

上升时间 31 ns 46 ns -

输入电容(Ciss) 6560pF @13V(Vds) 5435pF @13V(Vds) 6560pF @13V(Vds)

下降时间 16 ns 19 ns -

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc)

额定功率 - 78 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 7 -

阈值电压 - 1.6 V 1.8 V

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 Direct-FET DirectFET-MX Direct-FET

宽度 - 5.05 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -