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BF998、BF998R、BF998,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF998 BF998R BF998,215

描述 MOSFET晶体管硅N沟道MOSFET四极管 Silicon N-Channel MOSFET TetrodeTrans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4Pin(3+Tab) SOT-143B T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 晶体管

基础参数对比

引脚数 4 - 4

封装 SOT-143 SOT-143-4-1 TO-253-4

安装方式 Surface Mount - -

频率 - - 200 MHz

额定电流 - - 30 mA

极性 - - N-Channel

耗散功率 200 mW - 200 mW

漏源极电压(Vds) 12 V - 12 V

连续漏极电流(Ids) - - 30.0 mA

测试电流 - - 10 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

额定电压 - - 12 V

高度 - - 1 mm

封装 SOT-143 SOT-143-4-1 TO-253-4

材质 - - Silicon

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -