KSC945CGTA、KSC945GTA、KSC945CGBU对比区别

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型号 KSC945CGTA KSC945GTA KSC945CGBU

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC945CGTA  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 300 MHz, 250 mW, 150 mA, 200 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSC945GTA  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 300 MHz, 250 mW, 150 mA, 200 hFENPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 150 mA 150 mA 150 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 mW 250 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 @1mA, 6V 200 @1mA, 6V 200 @1mA, 6V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 200 200 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW

集电极最大允许电流 - 0.15A 0.15A

长度 4.58 mm 4.58 mm 4.58 mm

宽度 3.86 mm 3.86 mm 3.86 mm

高度 4.58 mm 4.58 mm 4.58 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape Tape Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99