BUK7C08-55AITE、BUK7C08-55AITE,118对比区别

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型号 BUK7C08-55AITE BUK7C08-55AITE,118

描述 N沟道TrenchPLUS标准水平FET N-channel TrenchPLUS standard level FETD2PAK N-CH 55V 130A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-7 TO-263-7

引脚数 - -

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 130A 130A

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 4200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 272 W 272 W

通道数 - -

漏源极电阻 - -

耗散功率 - 272W (Tc)

漏源击穿电压 - -

上升时间 - 115 ns

下降时间 - 110 ns

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

耗散功率(Max) - 272W (Tc)

封装 TO-263-7 TO-263-7

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free