RFP30N06LE、RFP50N06、SPW47N60C3对比区别

高亮显示差异参数

型号 RFP30N06LE RFP50N06 SPW47N60C3

描述 30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP50N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  SPW47N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 650 V

额定电流 30.0 A 50.0 A 47.0 A

额定功率 - 131 W 415 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 47.0 mΩ 22 mΩ 70 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 96 W 131 W 415 W

阈值电压 - 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 50.0 A 47.0 A

上升时间 88 ns 55 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 2020pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 131 W 415 W

下降时间 40 ns 13 ns 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 96W (Tc) 131 W 415W (Tc)

漏源击穿电压 60.0 V 60 V -

长度 10.67 mm 10.67 mm 15.9 mm

宽度 4.7 mm 4.83 mm 5.3 mm

高度 16.3 mm 9.4 mm 20.95 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99