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SI4214DDY-T1-E3、SI4214DDY-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4214DDY-T1-E3 SI4214DDY-T1-GE3

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8Pin SO T/RTrans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8Pin SOIC N T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 660pF @15V(Vds) 660pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 3.1 W

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free