GS74116ATP-8IT、IS62WV25616BLL-55TLI、IS61LV25616AL-10TL对比区别

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型号 GS74116ATP-8IT IS62WV25616BLL-55TLI IS61LV25616AL-10TL

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 8ns 44Pin TSOP-II T/RRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS61LV25616AL-10TL  芯片, 存储器, SRAM, 4MB, 10NS, TSOP-2-44

数据手册 ---

制造商 GSI Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 44 44

封装 - TSOP-44 TSOP-44

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - - 100 mA

针脚数 - - 44

位数 - 16 16

存取时间 - 55 ns 10 ns

内存容量 - 500000 B 500000 B

存取时间(Max) - 55 ns 10 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 - 2.5V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.63 V

电源电压(Min) - - 3.135 V

工作电压 - 3.3 V -

封装 - TSOP-44 TSOP-44

长度 - 18.52 mm -

宽度 - 10.29 mm -

高度 - 1.05 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 - Active Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99