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IRFS38N20D、IRFS38N20DTRLP、IRFS38N20DTRRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS38N20D IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRRPBF

描述 D2PAK N-CH 200V 38AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 200V 38A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-263 TO-263-3 D2PAK

引脚数 3 3 -

安装方式 - Surface Mount -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 38A 38A 38A

上升时间 95 ns 95 ns -

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds) -

下降时间 47 ns 47 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 300W (Tc) -

额定电流 - 44.0 A -

额定功率 - 320 W -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 0.054 Ω -

耗散功率 - 320 W -

阈值电压 - 5 V -

输入电容 - 2900 pF -

漏源击穿电压 - 200 V -

封装 TO-263 TO-263-3 D2PAK

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -