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7200L35TP、IDT7200L35TP、7200L35J8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7200L35TP IDT7200L35TP 7200L35J8

描述 IC MEM FIFO 256X9 35NS 28DIPIC MEM FIFO 256X9 35NS 28DIPIc Mem Fifo 256x9 35ns 32-Plcc

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 28 - 32

封装 DIP-28 DIP LCC-32

电路数 2 - -

存取时间 35 ns - 35 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

长度 34.3 mm - 14.0 mm

宽度 7.62 mm - 11.4 mm

封装 DIP-28 DIP LCC-32

厚度 3.30 mm - 2.79 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -