BUK7506-55A、PHP191NQ06LT,127、IRF630B对比区别

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型号 BUK7506-55A PHP191NQ06LT,127 IRF630B

描述 的TrenchMOS晶体管标准水平FET TrenchMOS transistor Standard level FETN沟道 VDS=55V VGS=±15V ID=75A P=300W200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 SOT-78 TO-220-3 TO-220

耗散功率 - 300 W -

输入电容 - 7665 pF -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 200 V

上升时间 - 232 ns -

输入电容(Ciss) - 7665pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 300 W -

下降时间 - 178 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300W (Tc) -

极性 N-CH - N-CH

连续漏极电流(Ids) 154A - 9A

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 SOT-78 TO-220-3 TO-220

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -