BSC014N04LSIATMA1、BSC035N04LSGATMA1、BSC016N04LSGATMA1对比区别

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型号 BSC014N04LSIATMA1 BSC035N04LSGATMA1 BSC016N04LSGATMA1

描述 INFINEON  BSC014N04LSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  BSC035N04LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  BSC016N04LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0012 Ω 0.0029 Ω 0.0013 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 96 W 69 W 139 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 31A 21A 31A

上升时间 50 ns 4.6 ns 7.6 ns

输入电容(Ciss) 4000pF @20V(Vds) 3800pF @20V(Vds) 8900pF @20V(Vds)

下降时间 11 ns 5 ns 9.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 139 W

额定功率 96 W 69 W -

通道数 - 1 -

输入电容 - 3800 pF -

漏源击穿电压 - 40 V -

长度 5.9 mm 5.9 mm 5.35 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm 6.1 mm

高度 1.27 mm 1.27 mm 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -