IS42S16160D-7TL、IS42S16160D-7TL-TR、IS42S16160G-7TL对比区别

高亮显示差异参数

型号 IS42S16160D-7TL IS42S16160D-7TL-TR IS42S16160G-7TL

描述 动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAMDRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II T/RRAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

引脚数 54 - 54

存取时间 5.4 ns 7 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) - 3 V 3 V

供电电流 130 mA - 130 mA

工作电压 - - 3V ~ 3.6V

位数 - - 16

存取时间(Max) - - 5.4 ns

长度 22.42 mm 22.22 mm 22.42 mm

宽度 10.29 mm 10.16 mm 10.29 mm

高度 1.05 mm 1 mm 1.05 mm

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 PB free

ECCN代码 - - EAR99