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MS2213、MZ0912B50Y,114、MRF10005对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MS2213 MZ0912B50Y,114 MRF10005

描述 射频与微波晶体管特产航空电子/ JTIDS应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS SPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONSTrans RF BJT NPN 120V 3A 3Pin CDFM Blister射频线微波功率晶体管 The RF Line Microwave Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦) M/A-Com

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw - Chassis

引脚数 4 3 3

封装 - SOT443A 336E-02

耗散功率 75 W - 25 W

输出功率 - - 5 W

击穿电压(集电极-发射极) 55 V - 55 V

增益 7.8 dB - 8.5dB ~ 10.3dB

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 5V - 20 @500mA, 5V

额定功率(Max) 75 W - 25 W

频率 1215 MHz - -

工作温度(Max) 250 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 75000 mW - -

封装 - SOT443A 336E-02

工作温度 250℃ (TJ) - 200℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR