CY7C1420BV18-250BZC、CY7C1420KV18-250BZXC、CY7C1420KV18-250BZXI对比区别

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型号 CY7C1420BV18-250BZC CY7C1420KV18-250BZXC CY7C1420KV18-250BZXI

描述 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1420KV18 系列 36 Mb (1 M x 36) 1.7 - 1.9 V DDR II SRAM - FBGA-16536兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 - 490 mA -

时钟频率 - 250 MHz -

位数 - 36 36

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

高度 0.89 mm - 0.89 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -