STU5N95K3、STU8N65M5、STU12N65M5对比区别
型号 STU5N95K3 STU8N65M5 STU12N65M5
描述 STMICROELECTRONICS STU5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STU12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 3 Ω 0.56 Ω 0.39 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 70 W 70 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 950 V 650 V 650 V
漏源击穿电压 950 V - -
上升时间 7 ns 14 ns 17.6 ns
输入电容(Ciss) 460pF @25V(Vds) 690pF @100V(Vds) 900pF @100V(Vds)
下降时间 18 ns 11 ns 23.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)
额定功率(Max) - 70 W 70 W
长度 6.6 mm 6.6 mm -
宽度 2.4 mm 2.4 mm -
高度 6.9 mm 6.9 mm -
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon Silicon
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free PB free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -