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IS42SM16400K-75BLI、IS42SM16400M-75BLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM16400K-75BLI IS42SM16400M-75BLI

描述 Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-5464m, 3.3V, Mobile Sdram, 4mx16, 133MHz, 54 Ball Bga (8mmx8mm) Rohs, It

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 BGA-54 TFBGA-54

供电电流 55 mA 55 mA

位数 16 16

存取时间 - 6 ns

存取时间(Max) 6ns, 8ns 7.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

封装 BGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99