APT8020JLL、APT8024JLL、IXFN44N80对比区别

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型号 APT8020JLL APT8024JLL IXFN44N80

描述 SOT-227 N-CH 800V 33ASOT-227 N-CH 800V 29AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN44N80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 165 mohm, 10 V, 4.5 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Screw Screw Chassis

引脚数 4 4 3

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 33.0 A 29.0 A -

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 520 W 460W (Tc) 700 W

输入电容 5.20 nF 4.67 nF -

栅电荷 195 nC 160 nC -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 33.0 A 29.0 A 44.0 A

上升时间 14 ns 5 ns 48 ns

输入电容(Ciss) 5200pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds) 10000pF @25V(Vds)

下降时间 10 ns 4 ns 24 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 520W (Tc) 460W (Tc) 700W (Tc)

额定功率(Max) - 460 W -

额定功率 - - 700 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 165 mΩ

阈值电压 - - 4.5 V

工作结温(Max) - - 150 ℃

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

重量 - - 0.000036 kg

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99