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BZB784-C5V6、BZB784-C5V6,115、934056305115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZB784-C5V6 BZB784-C5V6,115 934056305115

描述 NXP  BZB784-C5V6  二极管阵列 齐纳, 5.6 V, 双共阳极, 350 mW, 150 °C, SOT-323 新BZB784C5 系列 5.6 V 350 mW 200 mA 稳压器 双 二极管 - SOT-323-3Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

耗散功率 350 mW 350 mW -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 5.6 V 5.6 V -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 350 W 350 mW -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 350 mW -

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1 mm - -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

温度系数 1 mV/K 1 mV/K -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -