BZD27C33P-HE3-08、BZD27C33P-HE3-18对比区别

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型号 BZD27C33P-HE3-08 BZD27C33P-HE3-18

描述 Diode Zener Single 33V 800mW 2Pin DO-219AB T/RDiode Zener Single 33V 800mW 2Pin DO-129AB T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-219AB DO-219AB

击穿电压 33.0 V 33.0 V

正向电压 1.2V @200mA 1.2V @200mA

耗散功率 800 mW -

测试电流 25 mA -

稳压值 33 V 33 V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW

耗散功率(Max) 800 mW -

封装 DO-219AB DO-219AB

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free