AUIRF1010EZSTRL、AUIRF1010EZSTRR、IRF1010EZSPBF对比区别

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型号 AUIRF1010EZSTRL AUIRF1010EZSTRR IRF1010EZSPBF

描述 D2PAK N-CH 60V 84AD2PAK N-CH 60V 84AINFINEON  IRF1010EZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - - 3

额定功率 140 W 140 W -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 - 8.5 mΩ 0.0085 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 140 W 140 W 140 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V -

连续漏极电流(Ids) 84A 84A 84A

上升时间 90 ns 90 ns -

下降时间 54 ns 54 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

输入电容(Ciss) 2810pF @25V(Vds) - 2810pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 140W (Tc) - 140W (Tc)

长度 10 mm 10 mm 10.67 mm

宽度 9.25 mm 9.25 mm 9.65 mm

高度 4.4 mm 4.4 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)