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2SB596、KSB596对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SB596 KSB596

描述 SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE功率放大器的应用 Power Amplifier Applications

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童)

分类

基础参数对比

封装 - SFM

封装 - SFM

产品生命周期 Obsolete Unknown

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

集电极最大允许电流 - 4A