2N6075、BT134-600E对比区别

高亮显示差异参数

型号 2N6075 BT134-600E

描述 Sensitive gate triac. Silicon bidirectional thyristor. 4A RMS. Peak repetitive off-state voltage 600V.三端双向可控硅, 600 V, 4 A, SOT-82, 25 mA, 700 mV, 5 W

数据手册 --

制造商 Motorola (摩托罗拉) We En Semiconductor

分类

引脚数 - 3

封装 - SIP-82

安装方式 - -

针脚数 - 3

保持电流(Max) - 15 mA

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

封装 - SIP-82

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - -

RoHS标准 -

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99