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DSB60C60PB、MBR3060CT、M6060C-E3/45对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DSB60C60PB MBR3060CT M6060C-E3/45

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  DSB60C60PB  小信号肖特基二极管, 双共阴极, 60 V, 30 A, 690 mV, 320 A, 150 °CTAIWAN SEMICONDUCTOR  MBR3060CT  肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 30 A, TO-220AB, 3 引脚, 770 mVDiode Schottky 60V 60A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列肖特基二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 -

正向电压 780mV @30A - 650mV @30A

耗散功率 145 W - -

正向电流 30 A 30 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 320 A 200 A 320 A

正向电压(Max) 690 mV 770 mV 650mV @30A

正向电流(Max) 60 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 145000 mW - -

长度 10.66 mm - -

宽度 4.82 mm - -

高度 16 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 55℃ ~ 125℃ - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -