STP10NM60ND、STP6N120K3、STP8NM60ND对比区别

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型号 STP10NM60ND STP6N120K3 STP8NM60ND

描述 STMICROELECTRONICS  STP10NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 VN-channel 600V, 0.59Ω, 7A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) TO-220

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.57 Ω 1.95 Ω 700 mΩ

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 70 W 150 W 70 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 1.2 kV 600 V

上升时间 10 ns - 22 ns

输入电容(Ciss) 577pF @50V(Vds) 1050pF @100V(Vds) 560pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 150 W -

下降时间 9.8 ns - 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 150W (Tc) 70W (Tc)

连续漏极电流(Ids) - 6A -

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 600 V

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 15.75 mm 14.9 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -