IRLU024NPBF、IRLU024ZPBF、RFD14N05L对比区别
型号 IRLU024NPBF IRLU024ZPBF RFD14N05L
描述 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05L 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
额定电压(DC) - 55.0 V 50.0 V
额定电流 - 16.0 A 14.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.065 Ω - 100 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 46 W 35 W 48 W
阈值电压 2 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 50 V
漏源击穿电压 55 V 55.0 V 50.0 V
栅源击穿电压 - - ±10.0 V
连续漏极电流(Ids) 17A 16.0 A 14.0 A
上升时间 74 ns 43.0 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 380pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 45 W - 48 W
下降时间 29 ns - 16 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 45W (Tc) 35W (Tc) 48 W
产品系列 - IRLU024Z -
额定功率 38 W - -
输入电容 480 pF - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.8 mm
宽度 2.39 mm 2.38 mm 2.5 mm
高度 6.22 mm 6.22 mm 6.3 mm
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99