IPI110N20N3G、IPP110N20N3G、IPP110N20NA对比区别

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型号 IPI110N20N3G IPP110N20N3G IPP110N20NA

描述 200V,88A,N沟道功率MOSFETOptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)INFINEON  IPP110N20NA  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0099 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-262-3-1 TO-220 TO-220-3

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) - 200 V 200 V

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0099 Ω

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 200 V

连续漏极电流(Ids) - - 88A

上升时间 - - 26 ns

输入电容(Ciss) - - 7100pF @100V(Vds)

下降时间 - - 11 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 300W (Tc)

封装 TO-262-3-1 TO-220 TO-220-3

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 15.65 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)